第二百四十章 八月：产量提gao2.6倍

    “呼~”

    脑海中缓了一会儿后，林晓便感觉自己的思维重新恢复了清晰。

    这一次提高的大脑开发度还不到本来的十分之一，对他本身的负担并不大，只是稍微有一些头晕罢了，等了一会儿后，这种眩晕感便逐渐消退了。

    此时此刻，他再次抬头看向周围的环境，便感到周围的一切彷佛都在他的把控之中，甚至他能够将整个房间直接建立成为了一个3D模型，然后放在自己的大脑中，并且甚至能够直接对这个模型进行改变。

    此外，他甚至感觉自己现在能够轻松地对八位数数字进行质数分解。

    同时，他感觉自己对于物理的理解似乎也更近了一步。

    本来，他因为之前提出了多维场论，而从系统那里得到了一个【物理大师光环】，这个光环对他的加成还是很高的，这也是为什么他有自信对光刻机来动手。

    而现在他物理学又提升到了5级，这让他更有信心将这个时间缩短了。

    “甚至……EUV光刻机也不是什么问题，似乎X光刻机，也能行？”

    林晓的脑海中忽然浮现出了这个想法。

    X光刻机，指的便是用X光作为光源的光刻机。

    X光的波长比极紫外光更短，能够更加容易地去生产先进制程芯片。

    并且这种光刻机有一种优点，那就是它的光源是直接照射在芯片底上的。

    这种曝光方式便叫做直写式。

    而EUV光刻机的光源中，EUV光源是经过十几块镜片的各种折射，最后通过掩膜版上面的图桉，以投影的方式在芯片上形成芯片的。

    这也就是说，X光刻机不需要光掩膜版就能使用，同时它对透镜系统的要求很低，仅仅只对透镜表面光滑度有一点要求而已。

    此外，EUV光源在经过十几次光学镜片的折射后，原有光源的能量也会大大遭到削弱，原来的100%，到最后能量可能只会剩下不到3%，这也是为什么对EUV光源的要求就是功率足够强，不然的话，华国也不可能在光源上实现不了突破，毕竟方法都知道，不可能造都造不出来。

    而X光刻机就不同了，因为是直写式，不需要经过镜片折射，所以根本不用担心光源功率不足的问题，反倒要担心的是曝光时间稍微长了一点，反倒会影响到最终的效果。

    当然，X光优点很多，但同样也有缺点。

    那就是相比较EUV光刻机来说，光刻效率比较低，在实现大规模生产上比较困难，这也是为什么X光刻机没有占据主流的原因，虽然到现在也仍然再用，不过并不是那么引起人们的关心。

    不过，这个问题林晓自然是考虑到了，而他觉得X光刻机能搞，便是因为他刚才闪过的灵感，让他有了一个实现X光刻机大规模生产的方法。

    那就是利用衍射效应。

    X光是能通过晶体进行衍射的，并且一般来说，晶体结构基本上是利用X光衍射来测定的。

    但是反过来说，如果选取合适的晶体材料作为透镜，然后利用衍射效应实现对X光的缩放，进而就能实现像EUV光刻机那样的生产效率，在加上X光那强大的能量，实现更加快速的生产效率，十分的轻松。

    当然，其中就有一个困难的问题了，那就是这个合适的晶体是什么，此外，利用衍射效应实现对X光的控制，其中需要处理的数据十分庞大。

    所以到现在虽然也有利用这种衍射效应去实现芯片制造的，但是基本上都仅限于一些特殊的图形，应用桉例十分之少。

    对于林晓来说，他也仅仅只是这么想一想。

    虽然现在的他还有一点把握，但是要是他给外界的人说自己要搞X光刻机的话，恐怕他们华芯盟第二天就得退出个一大半。

    不再多想，他重新将目光投入到眼前的数学模型中。

    如今升级了的他，再次回顾起这个模型，心中忽然觉得，这个模型似乎还有些欠缺啊？

    “唔……这个模型似乎还可以再优化一下。”

    经过片刻的思考，他找到了可以优化的点。

    “嗯，离子抛光机校准系统，还有一点可以优化。”

    离子抛光机的校准系统受到本身精度的影响，当然，考虑到内部磁场的影响，离子束的轨道是会受到磁场干扰的，就像是粒子加速器也会受到磁场的各种干扰。

    所以如果在校准系统中对磁场干扰误差进行更加精确的修正，或者说是利用磁场误差和离子抛光机自身精度误差的差值，同样也能实现更加精准的抛光。

    想到这，林晓立马开始动手计算，而这一步，其实很容易，那就是根查法。

    离子束抛光机，喷射等离子体，磁场误差影响……这些东西加起来，可不就能够用根查法来解决吗？

    当然，由于结构有些不同，还有功能上的不同，所以也需要对根查法做一个简单的修改。

    而这一步，并不困难。

    大概半个小时后